RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link