RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
59
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,123.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
35
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link