RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
59
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link