Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB против Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Средняя оценка

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,021.5 12.4

Среднее значение в тестах

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Причины выбрать
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 47

Около -96% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR5
Задержка в PassMark, нс

47 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,575.4 13.9
Скорость записи, Гб/сек

2,021.5 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

563 3480

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

модули RAM

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 9905700-024.A00G 8GB

Kingston 9905700-024.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

модули RAM