RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
77
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
33
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2686
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link