Confronto tra le RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 6.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 36

Intorno -50% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2569 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns