Confronto tra le RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Motivi da considerare
Inmos + 256MB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 37

Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.1 8.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

16800 10600

Intorno 1.58 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2143 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns