Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

総合得点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

13.2 11.5

テスト平均値

Inmos + 256MB

考慮すべき理由
Inmos + 256MB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 37

周辺 -23% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

9.1 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

16800 10600

周辺 1.58 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 30
読み出し速度、GB/s

13.2 11.5
書き込み速度、GB/秒

8.4 9.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 16800

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2143 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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