RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
56
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
39
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2443
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link