RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
56
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2443
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link