RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
56
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
34
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2608
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99P5471-049.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link