Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Pontuação geral

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Pontuação geral

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 13.1

Valor médio nos testes

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

34 56

Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.9 1,813.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

56 34
Velocidade de leitura, GB/s

4,387.7 13.1
Velocidade de escrita, GB/s

1,813.5 12.9
Largura de banda de memória, mbps

6400 19200

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

693 2608

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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