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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
56
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
34
读取速度,GB/s
4,387.7
13.1
写入速度,GB/s
1,813.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2608
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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