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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641152 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
INTENSO 5641152 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
30
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2215
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
INTENSO 5641152 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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