RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
62
Intorno 52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
62
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
1586
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link