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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 42
    周辺 -11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 12.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2174

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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