RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
94
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
34
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3634
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link