RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2799
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link