RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
52
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2466
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link