RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3499
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link