RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3309
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link