RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2782
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link