RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3029
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link