RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3572
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link