RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link