RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link