RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
72
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,160.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
72
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
1951
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link