RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2516
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link