RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link