RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
71
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2004
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link