RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2929
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link