RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link