RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
71
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
69
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1598
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link