RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3361
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link