RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3084
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link