RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3122
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link