RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3650
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link