RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1699
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link