RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3568
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link