RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3367
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link