RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2836
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link