RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3772
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link