RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3772
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link