RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3302
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link