RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3177
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link