RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2281
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link