RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
80
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
80
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1775
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link