RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
5.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1941
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 64T256020EU2.5C2 2GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link