RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
11.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1920
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link