Confronto tra le RAM ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 28

Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.6 11.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.5 7.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2174 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns